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漆膜介质损耗因数测试仪

关键词:漆膜介质损耗因数测试仪

详细信息

  漆膜介质损耗因数测试仪

  技术参数:

  1.Q值测量

  a.Q值测量范围:2~1023。

  b.Q值量程分档:30、100、300、1000、自动换档或手动换档。

  c.标称误差

  频率范围(100kHz~10MHz): 频率范围(10MHz~160MHz):

  固有误差:≤5%±满度值的2% 固有误差:≤6%±满度值的2%

  工作误差:≤7%±满度值的2% 工作误差:≤8%±满度值的2%

  2.电感测量范围:4.5nH~7.9mH

  3.电容测量:1~205

  主电容调节范围:18~220pF

  准确度:150pF以下±1.5pF; 150pF以上±1%

  注:大于直接测量范围的电容测量见后页使用说明

  4. 信号源频率覆盖范围

  频率范围CH1:0.1~0.999999MHz, CH2: 1~9.99999MHz,

  CH3:10~99.9999MHz, CH1 :100~160MHz,

  5.Q合格指示预置功能: 预置范围:5~1000。

  6.B-测试仪正常工作条件

  a. 环境温度:0℃~+40℃;

  b.相对湿度:lt;80%;

  c.电源:220V±22V,50Hz±2.5Hz。

  7.其他

  a.消耗功率:约25W;

  b.净重:约7kg;

  c. 外型尺寸:(l×b×h)mm:380×132×280。

  漆膜介质损耗因数测试仪

  电场强度

  存在界面极化时,自由离子的数目随电场强度增大而增加,其损耗指数 大值的大小和位置也随此而变。

  在较高的频率下,只要电介质中不出现局部放电,电容率和介质损耗因数与电场强度无关.

  陶瓷材料的损耗

  陶瓷材料的介质损耗主要来源于电导损耗、松弛质点的极化损耗和结构损耗。此外,表面气孔吸附水分、油污及灰尘等造成的表面电导也会引起较大的损耗。

  在结构紧密的陶瓷中,介质损耗主要来源于玻璃相。为了改善某些陶瓷的工艺性能,往往在配方中引人此易熔物质(如黏土),形成玻璃相,这样就使损耗增大。如滑石瓷、尖晶石瓷随黏土含量增大,介质损耗也增大。因面一般高频瓷,如氧化铝瓷、金红石等很少含有玻璃相。大多数电陶瓷的离子松弛极化损耗较大,主要的原因是:主晶相结构松散,生成了缺固济体、多品型转变等。

  漏导损耗

  实际使用中的绝缘材料都不是完善的理想的电介质,在外电场的作用下,总有一些带电粒子会发生移动而引起微弱的电流,这种微小电流称为漏导电流,漏导电流流经介质时使介质发热而损耗了电能。这种因电导而引起的介质损耗称为“漏导损耗”。由于实阿的电介质总存在一些缺陷,或多或少存在一些带电粒子或空位,因此介质不论在直流电场或交变电场作用下都会发生漏导损耗。

  介质损耗:绝缘材料在电场作用下,由于介质电导和介质极化的滞后效应,在其内部引起的能量损耗。也叫介质损失,简称介损。在交变电场作用下,电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角(功率因数角Φ)的余角δ称为介质损耗角。

  损耗因子也指耗损正切,是交流电被转化为热能的介电损耗(耗散的能量)的量度,一般情况下都期望耗损因子低些好 。

  电介质在恒定电场作用下,介质损耗的功率为

  W=U2/R=(Ed)2S/ρd=σE2Sd

  定义单位体积的介质损耗为介质损耗率为

  ω=σE2

  在交变电场作用下,电位移D与电场强度E均变为复数矢量,此时介电常数也变成复数,其虚部就表示了电介质中能量损耗的大小。

  D,E,J之间的相位关系图

  D,E,J之间的相位关系图

  如图所示,从电路观点来看,电介质中的电流密度为

  J=dD/dt=d(εE)/dt=Jτ+iJe

  式中Jτ与E同相位。称为有功电流密度,导致能量损耗;Je,相比较E超前90°,称为无功电流密度。

  定义

  tanδ=Jτ/Je=ε〞/εˊ

  式中,δ称为损耗角,tanδ称为损耗角正切值。

  损耗角正切表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小,是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数。为了减少介质损耗,希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。损耗因素的倒数Q=(tanδ)-1在高频绝缘应用条件下称为电介质的品质因素,希望它的值要高。

  主要特点:

  空洞共振腔适用于CCL/印刷线路板,薄膜等非破坏性低介电损耗材料量测。

  印电路板主要由玻纤与环氧树脂组成的, 玻纤介电常数为5~6, 树脂大约是3, 由于树脂含量, 硬化程度, 溶剂残留等因素会造成介电特性的偏差, 传统测量方法样品制作不易, 尤其是薄膜样品( 小于 10 mil) 量测值偏低

  LKI-1电感组:

  线圈号 测试频率 Q值 分布电容p 电感值

  9 100KHz 98 9.4 25mH

  8 400KHz 138 11.4 4.87mH

  7 400KHz 202 16 0.99mH

  6 1MHz 196 13 252μH

  5 2MHz 198 8.7 49.8μH

  4 4.5MHz 231 7 10μH

  3 12MHz 193 6.9 2.49μH

  2 12MHz 229 6.4 0.508μH

  1 25MHz,50MHz 233,211 0.9 0.125μH

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